23 دسمبر کو، پوہنگ یونیورسٹی آف ٹیکنالوجی کے شعبہ ایڈوانسڈ میٹریلز انجینئرنگ کے ایک تحقیقی گروپ نے اعلان کیا کہ انہوں نے ایک نئی قسم کا ایل ای ڈی عنصر تیار کیا ہے جو گرافین اور ہیکساگونل بوران نائٹرائڈ (ایچ بی این) کے سینڈوچ ڈھانچے کی بنیاد پر گہری بالائے بنفشی روشنی خارج کر سکتا ہے۔ تہوں . تحقیقی ٹیم نے واضح کیا کہ اب تک جو آلات گہری بالائے بنفشی شعاعوں کا اخراج کرتے ہیں ان میں بنیادی طور پر پارے یا ایلومینیم گیلیم نائٹرائیڈ سے بنے اجزاء استعمال ہوتے ہیں لیکن ان روایتی اجزاء میں آلودگی یا چمکیلی کارکردگی کے مسائل ہوتے ہیں۔ تحقیق کے نتائج حال ہی میں عالمی شہرت یافتہ علمی جریدے"Nature Communications" میں شائع ہوئے ہیں۔
▲ h-BN گہری الٹرا وایلیٹ LED۔ اسکیمیٹک ڈایاگرام سے پتہ چلتا ہے کہ گرافین، ایچ-بی این اور وین ڈیر والز متضاد نینو میٹریلز کا استعمال گرافین کی ساخت کے ساتھ مضبوط گہری بالائے بنفشی روشنی (سی) کا اخراج کر سکتا ہے۔
پوہنگ یونیورسٹی آف ٹکنالوجی کے مطابق، اس وقت ڈیپ الٹرا وائلٹ ایل ای ڈی ریسرچ میں استعمال ہونے والا اہم مواد ایلومینیم گیلیم نائٹرائڈ ہے (اس کے بعد اسے AlxGa1-xN کہا جاتا ہے)۔ تاہم، اس مواد کی ایک بنیادی حد ہے، یعنی جیسے جیسے طول موج کم ہوتی جائے گی، روشنی خارج کرنے والی خصوصیات تیزی سے خراب ہوتی جائیں گی۔
اس حد کو توڑنے کے لیے، پوہانگ یونیورسٹی آف ٹیکنالوجی h-BN کو بطور ڈیوائس میٹریل استعمال کرتی ہے۔ اس کی واحد ایٹمی تہہ کی ساخت گرافین کی طرح ہے، اور اس کی ظاہری شکل شفاف ہے، اس لیے اسے سفید گرافین بھی کہا جاتا ہے۔ [جی جی] quot؛
بتایا جاتا ہے کہ، AlxGa1-xN کے برعکس، یہ گہرے بالائے بنفشی خطے میں روشن روشنی خارج کرتا ہے اور اسے ایک نیا مواد سمجھا جاتا ہے جسے گہرے بالائے بنفشی ایل ای ڈی تیار کرنے کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے۔ تاہم، بڑے بینڈ گیپ کی وجہ سے، الیکٹرانوں اور سوراخوں کو انجیکشن لگانا مشکل ہے، جس سے ایل ای ڈی بنانا ناممکن ہو جاتا ہے۔ تاہم، اگر h-BN نینو فلم پر مضبوط وولٹیج کا اطلاق ہوتا ہے، تو ٹنلنگ اثر کے ذریعے الیکٹرانوں اور سوراخوں کو انجکشن کیا جا سکتا ہے۔ لہذا، وان ڈیر والز متفاوت نینو میٹریلز پر مبنی ایل ای ڈی ڈیوائسز جو گرافین، ایچ-بی این اور گرافین کے ساتھ اسٹیک کیے گئے تھے من گھڑت تھے، اور گہرے بالائے بنفشی سپیکٹروسکوپی نے تصدیق کی کہ اصل آلات مضبوط الٹرا وایلیٹ شعاعیں خارج کرتے ہیں۔
یونیورسٹی کے شعبہ مواد سائنس اور انجینئرنگ کے پروفیسر جن ژونگھون نے کہا: "نئی طول موج کی حد میں نئے اعلی کارکردگی والے ایل ای ڈی مواد کی ترقی آپٹیکل آلات کے اطلاق کے لیے ایک نقطہ آغاز ہو سکتی ہے۔ h-BN پر اس تحقیق کی اہمیت گہری الٹرا وائلٹ ایل ای ڈی مینوفیکچرنگ کے حصول میں ہے۔ .
اس کے علاوہ، موجودہ AlxGa1-xN مواد کے مقابلے میں، اس میں نمایاں طور پر زیادہ برائٹ کارکردگی ہے، اور ڈیوائس کو چھوٹا کیا جا سکتا ہے۔ [جی جی] quot؛
