گوانگ مائی ٹیکنالوجی بنانے میں پیشہ ور ہے۔گہرا پیلا رنگ SMD LED 3030 2835 3V 6V۔.

اس کے سایڈست وسیع بینڈ گیپ کی وجہ سے ، InGaN فلم کے مرئی روشنی کے میدان میں وسیع اطلاق کے امکانات ہیں۔ مائیکرو ایل ای ڈی فل کلر ڈسپلے کا استعمال انتہائی ممکنہ ایپلی کیشنز میں سے ایک ہے۔ مستقبل کے سمارٹ فونز ، گھڑیاں ، ورچوئل رئیلٹی شیشے وغیرہ چھوٹے سائز کے ڈسپلے مائیکرو ایل ای ڈی ٹیکنالوجی سے فائدہ اٹھائیں گے۔

اس وقت مائیکرو ایل ای ڈی ٹیکنالوجی کو دو بڑے چیلنجز کا سامنا ہے۔ پہلا یہ کہ بڑے پیمانے پر ٹرانسفر ٹیکنالوجی کا ادراک کرنا بہت مشکل ہے ، اور دوسرا موثر اور قابل اعتماد ریڈ لائٹ مائیکرو ایل ای ڈی چپس کی کمی ہے۔ موجودہ سرخ ایل ای ڈی AlGaInP مواد سے بنی ہے ، اور اس کی کارکردگی عام چپ سائز کے تحت 60 فیصد یا اس سے زیادہ ہے۔ تاہم ، جب چپ کا سائز مائکرو میٹر کے حساب سے کم ہوجاتا ہے تو ، اس کی کارکردگی 1 below سے بہت نیچے آجائے گی۔ اس کے علاوہ ، AlGaInP مواد کی ناقص مکینیکل خصوصیات بڑے پیمانے پر منتقلی میں نئی مشکلات کا اضافہ کرتی ہیں ، کیونکہ بڑے پیمانے پر منتقلی کے لیے مواد کو اچھی میکانی طاقت کی ضرورت ہوتی ہے تاکہ چپ ہینڈلنگ اور پلیسمنٹ کے دوران درار سے بچ سکے۔

InGaN مواد نہ صرف بہتر میکانی استحکام اور کم سوراخ بازی کی لمبائی رکھتا ہے ، بلکہ InGaN پر مبنی سبز اور نیلے مائیکرو ایل ای ڈی کے ساتھ بھی مطابقت رکھتا ہے۔ یہ سرخ مائیکرو ایل ای ڈی کے لیے بہتر انتخاب ہے۔ تاہم ، InGaN پر مبنی ریڈ لائٹ کوانٹم کنواں میں انڈیم علیحدگی کا ایک سنگین مسئلہ ہے ، جو ریڈ لائٹ کوانٹم میں نان ریڈی ایٹو ری کمبینیشن میں اضافے کا باعث بنے گا ، اس طرح کارکردگی میں کمی واقع ہوگی۔ پچھلے 20 سالوں کی تحقیق میں ، InGaN پر مبنی سرخ ایل ای ڈی کی پاور تبادلوں کی کارکردگی 2.5 فیصد سے کم تھی۔ انڈیم علیحدگی کا مسئلہ InGaN پر مبنی سرخ ایل ای ڈی کی ترقی میں سنجیدگی سے رکاوٹ ہے۔ لہذا ، انڈیم علیحدگی کے مسئلے کو کیسے حل کیا جائے اعلی کارکردگی والے InGaN پر مبنی سرخ ایل ای ڈی حاصل کرنے کی کلید ہے۔

حال ہی میں ، نانچانگ یونیورسٹی کے ماہر تعلیم جیانگ فینگی کی ریسرچ ٹیم نے فوٹونکس ریسرچ ، جلد 8 ، شمارہ 11 ، 2020 میں اپنے تازہ ترین اعلی کارکردگی والے InGaN پر مبنی اورنج ریڈ ایل ای ڈی نتائج کا مظاہرہ کیا۔

(a) اعلی چمکدار کارکردگی اورنج ایل ای ڈی اپیٹیکسیل مادی ڈھانچے کا اسکیمیٹک ڈایاگرام (b) اس کے کراس سیکشن کے ٹی ای ایم ٹیسٹ کے نتائج

یہ کام سلیکون سبسٹریٹ گیلیم نائٹرائیڈ ٹیکنالوجی پر مبنی ہے ، انڈیم گیلیم نائٹرائیڈ ریڈ لائٹ کوانٹم اچھی طرح سے متعارف کرایا گیا اور پیلے لائٹ کوانٹم اچھی طرح سے متبادل نمو کا طریقہ ، V کے سائز کی پٹ ٹیکنالوجی کے ساتھ مل کر ، جس سے کمپوزیشن میں علیحدگی کے مسئلے کو بہت حد تک کم کیا گیا۔ ریڈ لائٹ کوانٹم اچھی طرح وی کے سائز والے پی این جنکشن اور کوانٹم ویل ویل بینڈ گیپ انجینئرنگ کی بنیاد پر ، ریڈ لائٹ کوانٹم کنویں میں تابکاری کی بحالی کی شرح بہت زیادہ بڑھ گئی ہے۔

اس ٹیکنالوجی کا استعمال کرتے ہوئے اعلی کارکردگی والے InGaN پر مبنی اورنج ریڈ ایل ای ڈی کا ایک سلسلہ کامیابی سے تیار کیا۔ جب اخراج کی طول موج 594 ، 608 ، اور 621 این ایم ہوتی ہے تو ، بجلی کی تبدیلی کی افادیت بالترتیب 30.1، ، 24.0 and اور 16.8 are ہوتی ہے۔ اسی ویو بینڈ InGaN پر مبنی ایل ای ڈی کے پہلے رپورٹ شدہ نتائج کے مقابلے میں ، روشنی کی کارکردگی تقریبا ten دس گنا زیادہ ہے۔

محققین کا خیال ہے کہ اس ٹیکنالوجی میں مستقبل میں بہتری کی مزید گنجائش ہے۔ ایک ہی وقت میں ، ٹیم کے تجرباتی نتائج یہ بھی ثابت کرتے ہیں کہ ڈسپلے ایپلی کیشنز کے لیے ریڈ لائٹ پکسل چپس کی پیداوار میں InGaN مواد کی بڑی صلاحیت اور روشن امکانات ہوں گے۔

amber and yellow color